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[发明] 碳毫微管的形成方法 - 00106211.5
无权-未缴年费
权利转移

申请人:张震 株式会社日进那诺泰克 - 申请日:2000-04-21 - 主分类号:C01B31/02
分类号:C01B31/02 B82B3/00...
摘要:本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法,由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm-3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管...
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[发明] 纳米近场光钳方法 - 00133671.1
无权-未缴年费

申请人:清华大学 - 申请日:2000-12-01 - 主分类号:G01N13/14
分类号:G01N13/14 G12B21/06 B82B3/00...
摘要:本发明属于近场光学和光钳技术领域,本方法使激光与近场探针相互作用获得近场局域增强光场,利用该光场对微粒的光梯度力作用来实现捕获、移动、拉伸、扭转和释放等光钳操作。本发明从根本上突破了传统光学的受衍射限制的分辨率和操控精度,分辨率达到亚波长或...
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[发明] 碳纳米管开尖端和净化碳纳米管的方法 - 00129911.5
无权-视为撤回

申请人:李铁真 株式会社日进纳米技术 - 申请日:2000-10-11 - 主分类号:C01B31/02
分类号:C01B31/02 B82B3/00...
摘要:提供一种使用物理能的碳纳米管开尖端和净化碳纳米管的方法。在该开尖端和净化的方法中,使原生碳纳米管在衬底上垂直取向。接着,在预定高度沿平行于衬底主表面的方向对垂直取向的原生碳纳米管施加物理能,以切断原生碳纳米管和去除粘附于原生碳纳米管的尖端和...
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[发明] 一种治疗神志病(精神病等)的药物-活血醒神方剂 - 01100555.6
无权-未缴年费

申请人:王东桥 - 申请日:2001-01-12 - 主分类号:A61K35/78
分类号: A61K9/14 A61P25/18 B82B1/00...
摘要:本发明涉及一种治疗神志病(精神病等),尤其治疗神志病(精神病等)中以癫狂交替为表现的各种躁郁症、周期性精神病或兼月经不调的中药组合物。该中药组合物包括桃仁、柴胡、香附、赤芍、半夏、大腹皮、青皮、陈皮、桑白皮、苏子、归尾、鸡内金、麦芽等。该药...
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[发明] 一种磁性载药输运材料及其制备方法 - 01107703.4
无权-未缴年费

申请人:山东大学 - 申请日:2001-01-02 - 主分类号:A61K47/34
分类号:A61K47/34 B82B1/00...
摘要:一种磁性载药输运材料及其制备方法,属于纳米技术领域。主要内容是提供一种治疗癌症和炎症的磁性载药输运材料及其制备方法,其组分为(Fe3O4)yXm(H
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[发明] 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法 - 01113645.6
无权-未缴年费

申请人:东南大学 - 申请日:2001-05-28 - 主分类号:B82B3/00
分类号:B82B3/00...
摘要:用探针转移微粒制造纳米线结构的方法是一种制造纳米器件和电路的方法,制造的方法为:①基片清洁度、粗糙度的预处理;②在基片表面分子自组装双功能分子薄层,该双功能分子一端的功能基团通过化学键合与基片表面预处理后的功能基团牢固结合;③通过SFM微探...
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[发明] 荷负电纳米粒子产生装置及方法 - 01120188.6
有权

申请人:方墨希 孙岳 - 申请日:2001-07-11 - 主分类号:B82B3/00
分类号:B82B3/00...
摘要:一种荷负电纳米粒子产生装置及方法,由电源分别连超微电子发射极及控制组件组成的装置中,超微电子发射极在电源和控制组件的作用下,依据电极材料形状、尺寸和使用不同目的,控制电极使其相对地处于负2KV到负29KV的电位,形成隧道效应场电子发射,其所...
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[发明] 磁定位治疗癌症的双纳米材料及其制备方法 - 01107706.9
无权-视为撤回

申请人:山东大学 - 申请日:2001-01-04 - 主分类号:A61K33/26
分类号: A61K9/14 A61P35/00 B82B1/00...
摘要:磁定位治疗癌症的双纳米材料及其制备方法,属于纳米技术领域。主要内容是提供一种治疗癌症的双纳米材料及其制备方法,其组分为(Fe3O4)p(TiO2)100-p
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[发明] 磁定位治疗癌症肿瘤的复合材料及其制备方法 - 01107707.7
无权-视为撤回

申请人:山东大学 - 申请日:2001-01-04 - 主分类号:A61K33/26
分类号: A61K9/14 A61P35/00 B82B1/00...
摘要:一种磁定位治疗癌症的复合材料及其制备方法,属于纳米技术领域。主要内容是提供一种磁定位治疗癌症肿瘤的复合材料及制备方法,其组分为(Fe3O4)yAtX
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[发明] 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管 - 01120632.2
无权-未缴年费

申请人:LG电子株式会社 - 申请日:2001-07-18 - 主分类号:B82B3/00
分类号:B82B3/00 H01L29/772...
摘要:揭示了一种水平生长碳纳米管的方法,其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管,该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤:(a)在第一基底上形成预定触媒图形;(b)在第一基底上形成垂直生长防止层,该防止层防止碳纳...
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