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[发明授权] 一种用来产生一可用于半导体处理系统的前体的方法和设备 - 200480014710.4;1795290B
有权
著录变更

申请人:应用材料股份有限公司 - 申请日:2004-05-27 - 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
分类号:C23C16/44(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
优先权:2003.05.27 US 10/447,255;2003.06.05 US 60/477,478
摘要:本发明的实施例是有关于一种用来产生一可用于半导体处理系统中的前体的设备。该设备包括一罐子其具有一侧壁,一顶部及一底部。该罐子界定出一具有一上区及一下区的内部空间。该设备进一步包括一围绕在该罐子周围的加热器。该加热器在该上区与下区之间产生一温度梯度。
同族[38]:US2004013577A1 - US2004014320A1 - US2005189072A1 - US2006257295A1 - US2007067609A1 - US2007089817A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[9]:US2002009544A1 - US2003082307A1 - WO03028090A2 - WO03035927A2 - WO9406529A1 - JP2000351784A ...   
被引用[63]:US10312129B2 - US10340135B2 - US10378106B2 - US10381219B1 - US10388509B2 - US10388513B1 ...   
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[发明授权] 一种强制脉冲化学气相渗透工艺方法 - 200610027009.7;100537841C
无权-未缴年费

申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所 - 申请日:2006-05-26 - 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
分类号:C23C16/44(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I C23C16/52(2006.01)I
摘要:本发明涉及一种强制脉冲CVI工艺,它基于脉冲CVI工艺,其特征在 于引入强制脉冲流动的方法,以保持在界面均匀沉积的同时提高界面沉积速 率;具体工艺是石墨模具上部开口,气体导管位于石墨模具底部,在界面沉 积过程中,将纤维、纤维编织或预制件放置在石墨模具上部,真空状态下向 反应容器内充入含反应前驱物的气体,通过气体道管将气体输运到预热的石 墨模具内,强制气体向上穿过经纤维、纤维编织体或预制件,经过数秒达到 反应所需压力,并保持气体在高温反应器中驻留时间,然后通过真空泵将反 应容器内气体抽除,当反应容器内气体压力低于几十至几百帕,再次向反应 容器内充入含反应前驱物的气体如此循环脉冲,达到快速界面沉积。本发明 提供的工艺适用于热解碳,SiC界面以及(PyC-SiC)n多层界面的制备。
同族[1]:CN1858297A  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN105603388A   
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[发明] 坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备 - 201210179992.X
无权-视为撤回

申请人:丽佳达普株式会社 - 申请日:2012-06-01 - 主分类号:C23C16/448(2006.01)I
分类号:C23C16/448(2006.01)I C23C16/52(2006.01)I C23C16/44(2006.01)I
摘要:本发明提供一种在薄膜沉积时根据坩埚内的有机物质剩余量而适当地调整加热位置地构成的坩埚装置及其控制方法、能够更加准确地测量沉积到基板上的薄膜厚度的膜厚测量装置、及包含该坩埚装置及/或膜厚测量装置的薄膜沉积设备。
同族[3]:KR101375842B1 - KR20120135072A - TW201301617A  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:JP2011052301A - JPH0770739A - KR100677908B1   
被引用[8]:WO2015100984A1 - CN103276358A - CN103757590A - CN104278236A - CN104294217A - CN105296928A ...   
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[发明授权] 一种双膜层结构的红外电热膜加热管、其制备方法及其应用 - 201010598353.8;102036433B
无权-未缴年费
著录变更

申请人:吕一诺 - 申请日:2010-12-21 - 主分类号:H05B3/40(2006.01)I
分类号:H05B3/40(2006.01)I H05B3/14(2006.01)I H05B3/06(2006.01)I C23C16/40(2006.01)I C23C16/44(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种双膜层结构的红外电热膜加热装置,其结构中包括电热膜基体和设置在其两端的电极,电热膜基体表面依次蒸镀有导电膜层和红外高发射膜层。其制备方法为:利用高温蒸镀炉依次将电热膜液和红外高发射膜液蒸镀到电热膜基体上,电热膜液按重量份数比包含:四氯化锡45~58;三氯化锑0.3~2.0;三氯化镍0.4~1.2;三氯化铟0.3~1.0;乙醇/丙三醇5~15;无机酸6~17;去离子水20~30;红外高发射膜液按重量份数比包含:二氯化锰35~45;二氯化镍15~20;三氯化铬5~10;乙醇/丙三醇5~15;去离子水20~30;最后装配电极,即得。本发明采用双层膜结构,能够大幅强化辐射传热并减少对流传热,提高能效,节约能源。
同族[1]:CN102036433A  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:JPS62228483A - CN1072700A - CN1137730A   
被引用[4]:CN105916220A - CN106162953A - CN106358325A - CN108366441A   
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[发明授权] 半导体制造装置 - 200710104875.6;101078110B
有权

申请人:东京毅力科创株式会社 - 申请日:2007-05-23 - 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
分类号:C23C16/44(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I
摘要:本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离,进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置,与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。
同族[10]:US2008066677A1 - US2010203741A1 - US8277891B2 - JP2007317704A - JP4866658B2 - KR101118785B1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[16]:US2005008779A1 - US2005158590A1 - US2005196535A1 - US2005284370A1 - US2005287806A1 - US2007051310A1 ...   
被引用[12]:US2010229795A1 - US2011143053A1 - US2016208382A1 - US2017314128A1 - US9809880B2 - JP2009224440A ...   
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[发明] 一种用于反应源瓶的取放装置 - 201310056628.9
有权
著录变更
权利转移

申请人:北京七星华创电子股份有限公司 - 申请日:2013-02-22 - 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
分类号:C23C16/44(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I C23C16/455(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种用于反应源瓶的取放装置,包括:两枚调整螺柱和调整支撑板,调整螺柱与调整支撑板螺纹连接,通过调节调整螺柱的螺纹位置控制调整支撑板的升降;还包括导向轴套、导向轴、导向轴固定螺钉,导向轴套套装在导向轴上,导向轴在导向轴套内滑动,导向轴固定螺钉用于固定导向轴;还包括导轨、导轨固定板和导轨支撑板,能够在松开反应源瓶接口连接后,对调整螺柱进行调节,拉动导轨固定板轻松移出反应源瓶,还可以减少移出过程中由于操作不当对接口处的破坏影响,通过平稳的导轨将反应源瓶滑出也对反应源瓶内流体起到积极的紊流作用,更有利于对反应源瓶的安装及维护要求,具有结构完善、整体性强、控制灵活、调节效果好等优点。
同族[1]:CN103132052B  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:JP2005158982A - CN101357608A - CN203222618U   
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[发明授权] 流化床反应器 - 201080052371.4;102713001B
有权
权利转移

申请人:瑞科硅公司 - 申请日:2010-11-17 - 主分类号:C23C16/442(2006.01)I
分类号:C23C16/442(2006.01)I C23C16/44(2006.01)I
摘要:公开了一种用于产生高纯度涂硅颗粒的流化床反应器。容器具有:外壁、在该外壁内侧的绝热层、至少一个位于该绝热层内侧的加热器、在该加热器内侧的可拆卸同心衬里、中央进口喷嘴、多个流态化喷嘴、至少一个冷却气体喷嘴、以及至少一个产品出口。该系统可以包括在所述衬里内侧的可拆卸同心套筒。在特定系统中,所述中央进口喷嘴被构造成用以在反应器腔室的中央产生一次气体竖直柱以最小化反应器表面上的硅沉积。
同族[17]:US2011117729A1 - US2012263874A1 - US8075692B2 - US9023425B2 - WO2011063007A2 - WO2011063007A3 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[82]:US2002081250A1 - US2002086530A1 - US2003106495A1 - US2003118728A1 - US2004168769A1 - US2006088970A1 ...   
被引用[88]:US10186434B2 - US10190823B2 - US10287171B2 - US10407310B2 - US10518237B2 - US10525430B2 ...   
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[发明] 一种复合保护膜 - 202010369478.7
审中-公开

申请人:冯亿生 - 申请日:2020-05-02 - 主分类号:C09J7/29(20180101)
分类号:C09J7/29(20180101) C09J7/20(20180101) C09J7/24(20180101) C09J7/25(20180101) C09J7/21(20180101) C09D1/00(20060101) C09D5/00(20060101) C09D127/06(20060101) C09D4/02(20060101) C09D127/18(20060101) C09D131/04(20060101) C09D129/04(20060101) C09D191/06(20060101) C09D105/08(20060101) C09D125/06(20060101) C09D175/08(20060101) C09D183/08(20060101) C09D181/02(20060101) C09D183/04(20060101) C09D7/61(20180101) C09D7/63(20180101) C25D15/00(20060101) C25D5/18(20060101) C23C16/448(20060101) C23C16/44(20060101) C23C26/00(20060101) C25D9/02(20060101) C25D9/04(20060101)
专利代理机构:44264 佛山市粤顺知识产权代理事务所
摘要:一种复合保护膜,它由离型层、胶层、耐候保护层、疏水层构成且各层复合为一体;所述的离型层为底层、且其表面附着在胶层底面,耐候保护层底面附着在胶层表面,疏水层为表面层、且附着在耐候保护层表面。本发明通过上述结构的改良,在耐候保护层的表面附着有疏水层,利用疏水层的疏水性能减少室外污垢、粉尘、雨、雪等异物在物件或设备表面的附着,从而提高物件或设备表面的抗外界环境抵御能力,保证物件或设备的外观长效美观洁净,同时配合耐候保护层的使用,不但具有良好的抗紫外线性能,能防止紫外线导致复合保护膜容易老化、腐蚀等问题,还能防止尖锐物造成复合保护膜的损坏,以提高复合保护膜的使用寿命。
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[发明] 一种制备Co-Re合金涂层的化学气相沉积方法 - 201910083948.0
审中-实审

申请人:西南科技大学 - 申请日:2019-01-29 - 主分类号:C23C16/06(2006.01)I
分类号:C23C16/06(2006.01)I C23C16/442(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I C23C16/52(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种制备Co‑Re合金涂层的化学气相沉积方法,属于CVD制备领域,目的在于解决现有采用CVD法制备Co‑Re合金涂层的设备结构复杂,成本较高的问题。该方法采用的设备包括升华单元、第一反应气体发生器、第二反应气体发生器、反应器、第三反应气体发生器、管道单元、真空单元、控制系统,所述第三反应气体发生器通过管道与反应器相连且第三反应气体发生器能向反应器内充入反应气体,所述真空单元与反应器相连且真空单元能对反应器进行抽真空处理。采用本发明,能够制备出质量较好的Co‑Re合金涂层,且成本低,产品质量好,具有较高的应用价值和较好的应用前景。同时,本申请的制备方法反应条件温和,具有较高的安全性和可操作性,值得大规模推广和应用。
引用[4]:US2002081381A1 - US5900279A - CN101032000A - CN101072894A   
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[发明授权] 一种智能穿戴设备的纳米防水膜的制备方法 - 201511007736.2;106811733B
有权

申请人:广东易能纳米科技有限公司 - 申请日:2015-12-29 - 主分类号:C23C16/44(2006.01)I
分类号:C23C16/44(2006.01)I C23C16/02(2006.01)I C23C16/448(2006.01)I
专利代理机构:东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215
摘要:本发明涉及智能穿戴设备防水镀膜技术领域,具体涉及一种智能穿戴设备的纳米防水膜的制备方法,包括以下步骤:1)对待镀膜的智能穿戴设备表面进行清洗,然后烘干,烘干温度为20‑25℃,烘干时间为25‑30min;2)将待镀膜的智能穿戴设备放入真空镀膜室,加热并抽真空;3)将镀膜原材料放入蒸发室,继续抽真空,镀膜原材料加热升华;4)连通蒸发室与裂解室,镀膜原材料升华进入裂解室裂解成活性单体;5)活性单体进入真空镀膜室,最后沉积在智能穿戴设备的表面,得到防水膜层,该防水膜具有防水效果好、镀膜成本低、透气性好,的特点,能够对结构非常精细复杂的产品起到很高的防水保护。
同族[1]:CN106811733A  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:CN101255658A - CN101603170A - CN103834918A - CN203569184U - CN203960318U   
被引用[1]:CN109387323A   
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