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[发明授权] 原子层沉积方法和原子层沉积设备 - 03823818.7;100346448C
无权-未缴年费

申请人:微米技术有限公司 - 申请日:2003-09-26 - 主分类号:H01L21/00(2006.01)
分类号:H01L21/00(2006.01) H01L21/316(2006.01) C23C16/455(2006.01)
摘要:本发明提供了一种原子层沉积方法,包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出,以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后,吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。
同族[17]:US2004065258A1 - US2005245093A1 - US6916374B2 - US7279041B2 - WO2004034443A1 - EP1556886A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[55]:US2001011526A1 - US2002037630A1 - US2002043216A1 - US2002047151A1 - US2002055235A1 - US2002094689A1 ...   
被引用[27]:US10011904B2 - US10041169B2 - US10167551B2 - US10590536B2 - US2005056219A1 - US2007266941A1 ...   
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[发明] 前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法 - 201810805363.0
审中-公开

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2018-07-20 - 主分类号:H01L21/67(2006.01)I
分类号:H01L21/67(2006.01)I C23C16/455(2006.01)I
摘要:提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括:外部容器;内部容器,设置在所述外部容器中并且用于储存前体源;具有注入口的气体注入线路,用于将载气提供到所述外部容器中;以及具有排放口的气体排放线路,用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。
同族[2]:US2019055649A1 - KR20190020248A  >>更多 - 什么是同族
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[实用新型] 一种人工双叶机械心脏瓣膜热解碳沉积设备 - 201820736652.5
有权

申请人:兰州兰飞医疗器械有限公司 - 申请日:2018-05-17 - 主分类号:C23C16/26(2006.01)I
分类号:C23C16/26(2006.01)I C23C16/455(2006.01)I
摘要:本实用新型属于医用部件制造工程技术领域,是一种人工双叶机械心脏瓣膜热解碳沉积设备,包括石墨炉体、保温套、感应圈、排烟管、进气刚玉管、落料刚玉管、落料器与热电偶;还包括加料装置与阻气管路;加料装置包括料斗及加料刚玉管,料斗通过输料管连接加料刚玉管,加料刚玉管的另一端与石墨炉体炉腔连通;阻气管路一端连接有惰性气体罐、另一端与落料器上部连通。本实用新型解决了长久以来沉积的热解碳存在的沉积层易出现裂纹、气泡、分层等问题,提高了生产效率,降低了生产成本。
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[发明] 一种进气顶盘及金属有机物化学气相沉积反应器 - 201910008550.0
审中-实审

申请人:中晟光电设备(上海)股份有限公司 - 申请日:2019-01-04 - 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
分类号:C23C16/455(2006.01)I C23C16/458(2006.01)I C23C16/30(2006.01)I C30B25/12(2006.01)I C30B25/14(2006.01)I C30B29/40(2006.01)I C30B29/42(2006.01)I
摘要:本发明实施例公开了一种进气顶盘及金属有机物化学气相沉积反应器,该进气顶盘中的气体匀化装置包括:第一分布板、多个通气腔体以及第二分布板,有源气体在气体匀化装置中不发生混合,第一分布板与进气通道对应设置,第一分布板上设置有多个通气孔,用于匀化有源气体并将有源气体传输至与多个通气孔对应设置的多个通气腔体,多个通气腔体,与第一分布板相连通,用于对有源气体进行扩散,并将扩散后的有源气体输运至第二分布板,第二分布板上设置有多个通气缝,多个通气缝与多个通气腔体相连通且对应设置,用于对有源气体进行匀化并建立气体流场形态。本发明技术方案实现了提高有源气体的匀化度以及改善流场形态的技术效果。
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[实用新型] 一种新型特气法兰 - 201820594202.7
有权
著录变更

申请人:江苏微导纳米装备科技有限公司 - 申请日:2018-04-23 - 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
分类号:C23C16/455(2006.01)I
摘要:本实用新型公开了一种新型特气法兰,特气法兰内部设有一个半环形通道(2)和一个环形通道(4),半环形通道(2)和环形通道(4)同心;特气接口(1)设置在半环形通道(2)的中间;半环形通道(2)与环形通道(4)连通;半环形通道(2)的两端分别作为环形通道(4)的两个入口(3)。采用本实用新型的技术方案具有以下优点:保持一侧特气接头,使接入的特气管路简单;使最终进入腔体的气体均匀度提高50%以上,有利于工艺均匀度;气体喷淋孔可以做的更大,不容易堵塞,可大大延长维护周期。
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[发明授权] 一种取向碳纳米管-氧化铝杂化纤维及其制备方法 - 201510753921.X;105420689B
有权

申请人:中国人民解放军国防科学技术大学 - 申请日:2015-11-06 - 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
分类号:C23C16/455(2006.01)I C23C16/40(2006.01)I
摘要:一种取向碳纳米管‑氧化铝杂化纤维,包含碳纳米管纤维和在碳纳米管纤维表面均匀涂覆的氧化铝薄膜,该取向碳纳米管‑氧化铝杂化纤维具有核‑壳取向结构;该碳纳米管‑氧化铝杂化纤维的制备方法包括:对碳纳米管纤维进行羟基化预处理;然后置于原子层沉积系统腔体中;通入氧化铝的前驱体气体脉冲,使之形成单原子层;利用惰性气体脉冲排出多余的氧化铝的前驱体;通入水蒸汽气体脉冲,使之与已吸附于碳纳米管纤维表面的氧化铝的前驱体发生化学反应;通过控制上述部分步骤的循环周期的次数,以实现对碳纳米管纤维表现沉积的氧化铝膜层厚度的精确控制。本发明的产品电导率高,可最大限度增加碳纳米管/氧化铝界面大小。
同族[1]:CN105420689A  >>更多 - 什么是同族
引用[2]:CN102561007A - CN103774413A   
被引用[4]:CN106436281A - CN106832937A - CN107474225A - CN107653506A   
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[发明] 用于处理运动中的基片表面的设施的处理单元、相应的设施及实施方法 - 201780071165.X
审中-实审

申请人:涂层等离子创新公司 - 申请日:2017-11-02 - 主分类号:H01J37/32(2006.01)I
分类号:H01J37/32(2006.01)I C23C16/455(2006.01)I C23C16/54(2006.01)I
摘要:一种单元,包括:容纳部(50),其用于接纳适于产生放电的电极;以及第一装置(20、21、22),其用于朝向设施的支撑件喷射处理气体,处理气体包括至少一种等离子体形成气体。根据本发明,第一喷射装置包括用于所述处理气体的吸入部件(20)、在与支撑件相对侧开口的处理气体喷射部件(21)、以及连接这两个部件的中间腔室(22)。该腔室包括上游区域(24)和下游区域(27),在纵向视图(XX)和/或横向视图中,上游区域的气体通道的横截面从入口(25E、26E)朝向出口(25S、26S)增大,并且在横向视图中,下游区域的通道的横截面从入口(28E、29E)朝向出口(28S、29S)增大,而在纵向视图(XX)中下游区域的通道的横截面在出口(28S、29S)附近减小。由于腔室的形状以及该腔室中气体的方向的变化,本发明尤其地赋予处理气体在基片的整个处理宽度上的均化分布。
同族[8]:US2019287767A1 - WO2018091797A1 - EP3542390A1 - JP2019536908A - KR20190077563A - BR112019009968A2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[6]:US2004187783A1 - US2005001527A1 - US2009165715A1 - US2011244140A1 - WO2016128259A1 - JP2016062812A   
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[发明授权] 金属膜的成膜方法 - 201610364429.8;106191815B
有权

申请人:东京毅力科创株式会社 - 申请日:2016-05-27 - 主分类号:C23C16/455(20060101)
分类号:C23C16/455(20060101) C23C16/14(20060101)
摘要:本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下,能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中,隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫,在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金属氯化物气体以及对金属氯化物进行还原的还原气体而在配置于所述腔室内的具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板形成金属膜时,交替地实施相对地减少金属氯化物原料的供给量而形成第一金属膜的工序和相对地增多金属氯化物原料的供给量而形成第二金属膜的工序。
同族[8]:US10131986B2 - US2016348234A1 - JP2016222954A - JP6478813B2 - KR101892344B1 - KR20160140402A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[18]:US2008280438A1 - US2011031593A1 - US2013302980A1 - JP2002289557A - JP2003193233A - JP2004273764A ...   
被引用[6]:US10214807B2 - US10400330B2 - US10460987B2 - US2019139954A1 - KR20180101180A - KR20190062207A   
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[发明] 一种贵金属纳米复合材料的制备方法 - 201910462879.4
审中-实审

申请人:邱越 安徽奔马先端科技有限公司 - 申请日:2019-05-30 - 主分类号:C23C16/18(2006.01)I
分类号:C23C16/18(2006.01)I C23C16/455(2006.01)I B82Y40/00(2011.01)I
摘要:本发明公开了贵金属复合材料的制备技术,具体涉及一种金属Pt纳米复合材料的制备方法,所述制备方法,包括以下步骤:首先通过气泡法制备多孔金属基底;随后将该基底放入原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)设备的反应腔中,通过高温高真空处理,除去表面存在的杂质和水分等;最后通过交替通入贵金属前驱体和臭氧,在多孔金属表面沉积得到分散均匀的贵金属纳米颗粒。简单通过改变沉积的次数,即可实现贵金属纳米颗粒粒径的精密调控。本发明仅通过ALD设备即可制备出贵金属纳米复合材料,制备方法简单,材料粒径精确可控,具有普适性。
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[发明] 用于供应载气和干燥气体的喷淋板结构 - 201910022394.3
审中-公开

申请人:ASMIP控股有限公司 - 申请日:2019-01-09 - 主分类号:C23C16/455(2006.01)I
分类号:C23C16/455(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种用于等离子体沉积设备的喷淋板,该喷淋板包括:多个孔口,所述多个孔口中的每一个都从喷淋板的后表面延伸到前表面以用于使载气沿此方向通过该孔口到达反应室;多个第一孔口,所述多个第一孔口中的每一个都从第一连接孔口延伸到前表面的内部部分以用于使气体沿此方向通过该第一孔口到达反应室;以及多个第二孔口,所述多个第二孔口中的每一个都从第二连接孔口延伸到前表面的外部部分以用于使气体沿此方向通过该第二孔口到达反应室,其中第一连接孔口将第一孔口连接到从喷淋板的侧壁侧延伸的至少一个第一孔口,第二连接孔口将第二孔口连接到从侧壁侧延伸的至少一个第二孔口。
同族[2]:US2019211450A1 - KR20190085497A  >>更多 - 什么是同族
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