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[发明] 制造择优<111>取向钨的方法 - 85109258
无权-视为撤回

申请人:菲利浦光灯制造公司 - 申请日:1985-12-19 - 主分类号:C23C16/08
分类号:C23C16/08 C30B25/02 C22B5/16 C22B3...
摘要:在1000-10000帕总压下,从含有六氟化钨和氢的气相中在基金属上进行反应沉积(低压化学汽相沉积法)以制备择优取向的W<111>的过程,其特点是:向惰性气中加入乙酰丙酮根合稀土金属水合物(rare_earth_metal_acetyl_a...
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[发明] 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛 - 85100295
无权-届满

申请人:浙江大学 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B27/02
分类号:C30B27/02...
摘要:直拉硅单晶的氮保护气氛属于半导体材料制造技术.在直拉(切氏法)硅单晶技术中,以氮气作为拉晶的保护气体.所用的氮气纯度为99.999%以上,进入硅单晶炉内氮气流量为2-50升/分,炉内氮气压力为0.5-60乇.$由于氮气来源丰富,价格低廉,可...
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[发明] 制备单晶硅片表面完整层的新途径 - 85100856
无权-未缴年费

申请人:北京钢铁学院 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B27/00
分类号:C30B27/00 C30B33/00...
摘要:本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术.发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅.经切、磨、抛后,硅片实行两次热处理的方法,获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层,为集成电路用硅材料提供了新的可能途径.
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[发明] 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置 - 85100591
无权-未缴年费

申请人:哈尔滨工业大学 黑龙江省鹤岗市半导体材料厂 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B15/00
分类号:C30B15/00...
摘要:一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉,该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组,螺旋管的衔铁做成炉壁的形状,同时作为整个炉体的炉壁,并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构,螺旋管由升降器支撑,可以相对坩埚做上下运动,拉晶时,坩埚位于由螺旋管所产...
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[发明] 一种温梯法生长高温晶体的装置 - 85100534
无权-未缴年费

申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B35/00
分类号:C30B35/00 C30B1/00 C30B29/28...
摘要:本发明属于温梯法生长晶体装置的改进,包括坩埚、发热体和保温屏蔽装置.提供了一种锥形底中心有一籽晶槽尾部和圆锥筒壁的较理想的坩埚,发热体为矩形波状的板条式圆筒,其上半部有孔,下端与电极板相联,发热体上半部的温差由不同孔数和孔径来产生,下半部的...
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[发明] KTP单晶的熔盐生长方法 - 85100836
无权-未缴年费

申请人:国家建筑材料工业局人工晶体研究所 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B29/14
分类号:C30B29/14...
摘要:KTP单晶的熔盐生长方法,是一种非线性光学晶体磷酸氧钛钾(KTiOPO4,简称KTP的生长方法.本发明采用KTiOPO4化合物为原料、多磷酸钾为熔剂生长KTP单晶的熔盐生长法.介绍了晶体生长所需要的装置和必要的参数,指出KTiOPO4化合物...
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[发明] 浮力提拉单晶炉 - 85100701
无权-视为撤回

申请人:中国科学院声学研究所 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C30B15/20
分类号:C30B15/20...
摘要:浮力提拉单晶炉(代号FTD),是利用浮力的原理来提拉单晶的新型单晶炉.用自来水对载有籽晶杆的浮体的作用,控制水位实现提拉动作,它结构简单、振动小、造价低、提拉的速率范围为0.5~150毫米/小时,连续可调,长期不稳定度小于5%.其籽晶杆可以...
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[发明] 三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用 - 85107621
无权-未缴年费

申请人:中国科学院福建物质结构研究所 - 申请日:1985-10-10 - 主分类号:C30B29/54
分类号:C30B29/54 C30B7/08 G01J3/00...
摘要:一种适合于X射线光谱分析用的晶体材料及其生长方法,该晶体用水溶液降温法生长,所用溶剂为水,籽晶的形状为长条状 ,生长温度区间为60℃--室温.该晶体可用沾水的纱线切割,用刀片解理出所需尺寸的晶片,制成平晶或弯晶X射线单色器.该晶体的(020...
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[发明] 以纯氮作为保护气氛 的重掺锑硅单晶的制造方法 - 86100854
无权-届满

申请人:浙江大学 - 申请日:1986-01-16 - 主分类号:C30B27/02
分类号:C30B27/02 C30B29/06...
摘要:一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法,其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压--常压--减压的保护气氛.采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15-20%,提高成品率...
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[发明] 生长杆状红宝石的方法及其装置 - 85103282
无权-未缴年费

申请人:天津市硅酸盐研究所 - 申请日:1985-04-29 - 主分类号:C30B29/20
分类号:C30B29/20 C30B27/02...
摘要:本发明是关于直接从熔体中生长预定截面形状和尺寸的杆状红宝石的润湿导模法技术,晶体生长作用在非还原性气氛中和非过热状态下完成,获得的杆状红宝石具有色红均匀、色彩鲜明、表面光滑、平直度好、机械强度高、应力小和晶体完整性较好的特点,它适合于手表轴...
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