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[实用新型] 大样品大范围高分辨原子力显微检测装置 - 200920124491.5
无权-避重放弃

申请人:浙江大学 - 申请日:2009-07-13 - 主分类号:G01Q60/24(2010.01)I
分类号:G01Q60/24(2010.01)I G01Q60/38(2010.01)I
摘要:本实用新型公开了一种大样品大范围高分辨原子力显微检测装置。采用压电陶瓷探头扫描和步进电机大范围移动相结合的方法,同时设计了开放式的样品台,实现大型超精密工件的微纳米检测。它具有激光器、光路跟踪透镜、压电陶瓷、微悬臂探针及光电探测元件组成的大范围高分辨扫描探头系统和对大尺寸样品进行大范围移动的X、Y向步进电控平移台以及光学平台、扫描成像及反馈控制系统。本实用新型的优点是克服了常规AFM仅适用于小样品的小范围检测的局限性,设计了简单实用的透镜系统解决探针大范围扫描时的光路跟踪问题,采用开放式的样品台和二维步进电机,可对大型超精密工件样品,在保持AFM的超高分辨率下实现任意区域大范围扫描检测。
被引用[5]:CN102353816A - CN102662087A - CN103760916A - CN103941044A - CN105092900A   
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[发明] 一种超微电极的制作方法 - 200810231630.4
无权-未缴年费

申请人:西北师范大学 - 申请日:2008-09-24 - 主分类号:G01N31/00(2006.01)I
分类号:G01N31/00(2006.01)I G01N33/48(2006.01)I G01Q60/60(2010.01)I B82B3/00(2006.01)I
摘要:本发明公开一种制作超微电极的方法。其特征是利用火焰熔融法封胶毛 细管尖端,首次采用循环伏安技术镀绝缘膜,并用电击的方法获得超微电极 的尖端。和传统制作技术相比,本发明制作的超微电极尖端最小直径达到 300~1000nm,绝缘膜均匀、致密、不易脱落,且尺寸可控,灵敏度高,稳态 电流从10-7A降低到10-9A,并可在有机体系中进行测试,大大拓宽了其应用 领域。该方法制作简单、成本低、电极的电化学性能优良,可用于单细胞检 测、扫描电化学显微镜的探针。
同族[1]:CN101685091B  >>更多 - 什么是同族
被引用[11]:WO2012092696A1 - CN102445468A - CN102621204A - CN103399068A - CN103713160A - CN104062336A ...   
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[发明] 扫描隧道显微镜针尖制备方法与装置 - 200910035483.8
无权-视为撤回

申请人:南京大学 - 申请日:2009-10-09 - 主分类号:G01Q60/16(2010.01)I
分类号:G01Q60/16(2010.01)I B82B3/00(2006.01)I C25F3/08(2006.01)I
摘要:扫描隧道显微镜针尖制备方法,采用电化学腐蚀的方法,使用NAOH溶液作为腐蚀溶液,铜电极为阴极,所要腐蚀的钨丝为阳极,电化学腐蚀过程中腐蚀溶液液面处的钨丝会越来越细并且最终断裂形成针尖,且在钨丝断开的一瞬间将电化学腐蚀的电源电路切断;设有一个钨丝阳极串入电化学腐蚀的电路,将阴极的铜电极制备为环形,同时把阳极的钨丝放在环形的圆心处且均置于腐蚀溶液内;电化学腐蚀的条件是:针尖电压为7-8V。
被引用[8]:CN102181914A - CN102352526A - CN102650073A - CN102901846A - CN104131330A - CN106093473A ...   
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[发明] 一种制备纳米钨探针针尖的方法 - 200910236678.9
无权-驳回

申请人:北京大学 - 申请日:2009-10-27 - 主分类号:G01Q70/16(2010.01)I
分类号:G01Q70/16(2010.01)I B82B3/00(2006.01)I
摘要:本发明公开了一种制备纳米钨探针针尖的方法。该方法,包括如下步骤:1)将钨丝用腐蚀液去除所述钨丝表面的氧化层后,垂直插入所述腐蚀液中,将所述腐蚀液加电压,对所述钨丝进行腐蚀;2)将所述步骤1)腐蚀完毕的钨丝用去离子水冲洗并超声后,用酒精进行洗涤,干燥;3)将所述步骤2)处理完毕的钨丝表面涂敷绝缘漆,干燥静置后得到本发明提供的纳米钨探针针尖。本发明提供的纳米钨探针针尖,其尖端的曲率半径最小可达20纳米左右,能够在小电压(1毫伏量级)下形成尖端导电。该方法制备成本低,在纳通道、纳流体学和亚细胞电学测量等研究领域具有很好的应用前景。
被引用[7]:CN102183313A - CN102339704A - CN102650073A - CN104155480A - CN104345178A - CN104785871A ...   
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[发明] 一种压电陶瓷扫描管驱动器 - 200910238455.6
无权-未缴年费

申请人:北京航空航天大学 - 申请日:2009-11-26 - 主分类号:G01Q10/00(2010.01)I
分类号:G01Q10/00(2010.01)I
摘要:本发明公开了一种压电陶瓷扫描管驱动器,包括高压电源模块、低压电源模块、高压放大模块和信号调理模块;X、Y和Z向的控制电压分别输入至三个信号调理模块,信号调理模块将控制电压转换为X+、X-、Y+、Y-、Z方向的调理电压,五个方向的调理电压分别输入至五个高压放大模块,高压放大模块将五个方向的调理电压放大20倍,输出至压电陶瓷扫描管的五个驱动方向。高压电源模块输出+215V直流电压为高压放大模块提供电源,低压电源模块输出±15V直流电压为高压放大模块和信号调理模块提供电源。本发明所述的压电陶瓷扫描管驱动器功耗低、体积较小、方便携带,能够使用直流5-12V的任何电源或者电池供电。
同族[1]:CN101706513B  >>更多 - 什么是同族
被引用[1]:CN103293339A   
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[发明] 一种提高单个DNA分子AFM图像对比度的方法 - 200910197713.0
无权-未缴年费

申请人:中国科学院上海应用物理研究所 - 申请日:2009-10-27 - 主分类号:G01Q60/24(2010.01)I
分类号:G01Q60/24(2010.01)I G01Q60/42(2010.01)I
摘要:本发明公开了一种提高单个DNA分子AFM图像对比度的方法,包括如下步骤:修饰云母衬底和制备DNA分子样品,使所述DNA分子固定在所述云母衬底表面上;将所述DNA分子样品安装在AFM仪器上;用水溶液修饰AFM针尖1-10分钟;修饰后的AFM针尖取出后安装在扫描头上,对所述衬底上的DNA分子进行扫描成像。本发明的提高单个DNA分子AFM图像对比度的方法,基于蘸笔纳米刻蚀技术,主要通过利用探针在衬底上扫描时,吸附在探针上的部分水溶液转移到衬底DNA分子上的过程,增加单个DNA分子的高度,从而达到简单有效的提高DNA分子图像的对比度。
同族[1]:CN101710135B  >>更多 - 什么是同族
被引用[2]:CN102798736A - CN106908627A   
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[发明] 一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法 - 200910237676.1
无权-未缴年费

申请人:北京科技大学 - 申请日:2009-11-20 - 主分类号:G01Q30/20(2010.01)I
分类号:G01Q30/20(2010.01)I G01N3/00(2006.01)I
摘要:一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法,属于纳米/微米材料性能原位检测领域。其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上,通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形;在纳米线/微米线弯曲的同时,通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号,实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。本发明方法简单,便于操作,应用范围广泛,测量时间短,便于解释和发现纳米/微米材料优异的力电性能。
同族[1]:CN101713788B  >>更多 - 什么是同族
被引用[5]:CN101949957A - CN102565135A - CN103031610A - CN106124543A - CN107089643A   
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[发明] 一种强酸条件下用于AFM分析的浸矿杆状细菌的固定方法 - 200910310579.0
无权-未缴年费

申请人:中南大学 - 申请日:2009-11-27 - 主分类号:G01Q60/24(2010.01)I
分类号:G01Q60/24(2010.01)I G01N1/36(2006.01)I C12N11/12(2006.01)I C12R1/01(2006.01)N
摘要:本发明公开了一种强酸条件下用于AFM分析的浸矿杆状细菌的固定方法。本发明采用孔径为0.22微米的滤膜(混合纤维素酯微孔滤膜)为固定材料,国产过滤器(直径25毫米)为过滤装置,用一次性医药注射器通过加压过滤。采用本发明方法固定浸矿细菌在制备过程中,过滤条件和装置对细菌活性的影响小,无毒性,操作简便,制得的细菌在pH为2的溶液中细菌漂移率低,固定效果好,稳定性较高,适用于原子力显微镜(AFM)在强酸条件下分析浸矿细菌。因此本发明可广泛应用于AFM的研究领域,具有良好的应用前景和实用价值。
同族[1]:CN101718802B  >>更多 - 什么是同族
被引用[3]:CN103789399A - CN103881903A - CN106289929A   
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[发明] GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法 - 201010101896.4
有权

申请人:中国科学院上海技术物理研究所 - 申请日:2010-01-27 - 主分类号:G01Q60/30(2010.01)I
分类号:G01Q60/30(2010.01)I
摘要:本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法,该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标,得出器件结构的表面能带分布;再对得到的表面能带分布进行数值拟合,给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估;对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
同族[1]:CN101769941B  >>更多 - 什么是同族
引用[5]:US2005285155A1 - JP2002064201A - CN101127368A - CN101494244A - CN1681134A   
被引用[1]:CN107402184A   
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[发明] 双PZT对称集成化大应变加载装置 - 201010102922.5
有权

申请人:天津大学 - 申请日:2010-01-29 - 主分类号:G01Q30/02(2010.01)I
分类号:G01Q30/02(2010.01)I
摘要:本发明涉及微纳观结构的力学检测和实验力学,具体讲涉及双PZT对称集成化大应变加载装置。为提供双PZT对称集成化大应变加载装置,本发明采用的技术方案是,包括:各项技术指标完全相同的一对压电陶瓷PZT、压力传感器、准静态电荷放大器、计算机,压电陶瓷PZT设置在试件两侧,用于推动夹具产生微位移,实现在试件两侧同时进行加载;压力传感器经由准静态电荷放大器连接计算机。所述压力传感器是压电式力传感器。本发明主要应用于大载荷加载对薄膜的性能进行研究场合。
同族[1]:CN101776699B  >>更多 - 什么是同族
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