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[发明] 高密度数据存储和成像的方法 - 200780006026.5
有权
权利转移

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2007-02-20 - 主分类号:C08G73/12(2006.01)I
当前权利人:格芯公司
分类号:C08G73/12(2006.01)I G11B9/00(2006.01)I
公开(公告)日:2009-03-11
优先权:2006.2.21 US 11/358,774;2007.1.24 US 11/626,431
摘要:本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰 亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层,与现有技术的交联和线 型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成 匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外,交联的聚酰亚胺低聚 物适用于纳米级成像中。
同族[20]:US2007195682A1 - US2007196645A1 - US2008219135A1 - US2012033539A1 - US2012034383A1 - US2012155242A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[46]:US2003114598A1 - US2003215654A1 - US2004034190A1 - US2004046155A1 - US2004101985A1 - US2004198850A1 ...   
被引用[15]:US2007296101A1 - US2008165663A1 - US2008175135A1 - US2008219135A1 - US2010332155A1 - US2016085152A1 ...   
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[发明授权] 高密度数据存储和成像的方法 - 200780006026.5;101384644B
有权
权利转移

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2007-02-20 - 主分类号:C08G73/12(2006.01)I
当前权利人:格芯公司
分类号:C08G73/12(2006.01)I G11B9/00(2006.01)I
优先权:2006.02.21 US 11/358,774;2007.01.24 US 11/626,431
摘要:本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层,与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外,交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。
同族[20]:US2007195682A1 - US2007196645A1 - US2008219135A1 - US2012033539A1 - US2012034383A1 - US2012155242A1 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[46]:US2003114598A1 - US2003215654A1 - US2004034190A1 - US2004046155A1 - US2004101985A1 - US2004198850A1 ...   
被引用[15]:US2007296101A1 - US2008165663A1 - US2008175135A1 - US2008219135A1 - US2010332155A1 - US2016085152A1 ...   
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[发明授权] 接触探针储存系统的探测器容纳件 - 200410102020.6;1629960B
无权-未缴年费

申请人:惠普开发有限公司 - 申请日:2004-12-16 - 主分类号:G11B9/00(2006.01)I
分类号:G11B9/00(2006.01)I
公开(公告)日:2010-04-28
优先权:2003.12.17 US 10/736753
专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001
摘要:一种读出机构的实施例,可用于接触原子分辨储存系统,其包括带有介质(101)的悬臂(106),该介质可相对所述悬臂移动;悬臂设有从悬臂延伸的探针(104),探针可与介质表面接触;朝所述介质延伸的容纳件(114),在所述悬臂面对所述介质的侧面形成;和在所述容纳件形成的探测器件(108、116),以便与介质并置。
同族[4]:US2005135203A1 - US7423954B2 - EP1544864A1 - CN1629960A  >>更多 - 什么是同族
引用[52]:US3842194A - US3920930A - US4340956A - US4398016A - US4450550A - US4912822A ...   
被引用[12]:US2005162932A1 - US2007008863A1 - US2007041237A1 - US2007070685A1 - US2007159193A1 - US2007242594A1 ...   
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[发明] 具有介质平台的微致动器的制造方法 - 200610121480.2
无权-未缴年费

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2006-08-24 - 主分类号:G11B9/00(2006.01)I
分类号:G11B9/00(2006.01)I G11B9/14(2006.01)I G12B21/20(2006.01)I H01F41/00(2006.01)I G01N13/10(2006.01)I
公开(公告)日:2007-06-27
优先权:2005.12.20 KR 126099/05
摘要:本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法,所述介质平台具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈,所述线圈形成于所述介质平台与所述介质承载表面相对的表面上,所述方法包括:在第一基底的第一表面上形成凹槽;在第二基底的第一表面上形成线圈;接合所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面;在所述第二基底的第二表面上形成所述介质承载表面,所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
同族[5]:US2007137780A1 - US7520998B2 - JP2007174891A - KR100707207B1 - CN100573682C  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2005040730A1 - US5698783A - KR20050012227A - KR20050020872A   
被引用[4]:US2009151152A1 - US2009155727A1 - US7913376B2 - JP2008100342A   
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[发明授权] 基于AFM的数据存储和显微镜 - 01818249.6;1260721C
有权

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2001-09-17 - 主分类号:G11B9/00(2006.01)
分类号:G11B9/00(2006.01) G01B7/34(2006.01)
公开(公告)日:2006-06-21
优先权:2000.11.03 EP 00123992.0
摘要:提供了基于AFM的数据存储设备的读/写部件。在具体实施例中,读/写部件(30、45、50、65、80)包括杠杆装置(31、51、66、82)和支承结构(32、52、67、81),杠杆装置被连接到支承结构以便进行基本为枢轴式的运动。杠杆装置(31、51、66、82)在支承结构上的一对供电线(R、C)之间提供第一和第二电流路径,当使用时,杠杆装置通过供电线可以连接到可在写模式和读模式工作的供电装置。写模式加热器(36、47、56、73)被提供在杠杆装置上并且位于第一电流路径中,读/写探头(37、57、74、84)被提供在写模式加热器上。读模式加热器(39、46、58、75、83)被提供在杠杆装置上并且位于第二电流路径中。在使用时,当供电装置工作在读模式时,去耦装置(38a、38b、40a、40b、60、61、77a、77b、78a、78b)被用来禁止电流通过第一电流路径流向写模式加热器。于是在读和写模式中通过单对供电线可以寻址具有分立写和读模式加热器的部件。其它实施例提供使用热去耦机构和读/写部件(80)的读/写部件(100),其中通过杠杆装置和支承结构之间的接近探测结构进行读探测。还提供用于原子力显微镜的探测装置(115),其中通过类似的接近探测结构可以检测探头运动。
同族[12]:WO0237488A1 - EP1330823A1 - EP1330823B1 - DE60131558D1 - DE60131558T2 - JP2004513466A ...  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US4747698A - US5929438A - US6101164A   
被引用[17]:US6982898B2 - US7460462B2 - US7542402B2 - US7558185B2 - US7885168B2 - US8107353B2 ...   
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[发明] 数据读/写系统 - 02807064.X
有权

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2002-03-15 - 主分类号:G11B13/00
分类号:G11B13/00 G11B11/16 G11B9/00 G11B11/00
公开(公告)日:2004-06-09
优先权:2001.3.23 EP 01810296.2
摘要:一种用于通过尖端(40)在一个表面(90)的位置上写数据与/或从读位置读数据的方法,所述方法包括:使所述尖端在所述表面的位置之间运动。在每个位置,通过所述尖端对所述表面选择地施加能量(250),并与所述选择进行的能量施加同步,选择地迫使所述尖端和所述表面接触。
同族[20]:US2004136277A1 - US2008219136A1 - US2008225679A1 - US7394749B2 - US7680017B2 - US7697403B2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[11]:US2001038598A1 - US5038322A - US5446720A - US5537372A - US5751683A - US5986984A ...   
被引用[13]:US2004071021A1 - US2005281174A1 - US2007041237A1 - US2008225676A1 - US2009323407A1 - US7227829B2 ...   
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[发明] 头阵列在数据存储介质上的定位 - 200710126438.4
无权-未缴年费

申请人:希捷科技有限公司 - 申请日:2007-06-08 - 主分类号:G11B9/00(2006.01)I
分类号:G11B9/00(2006.01)I G11B9/02(2006.01)I
公开(公告)日:2008-03-26
优先权:2006.6.9 US 11/450,208
摘要:提供一种数据存储系统,其中多个读回信号被解析。该数据存储系统包括配置成存储伺服标记和数据标记的数据存储介质。该数据存储介质具有划分成扇区的轨道。头阵列被配置成与该数据存储介质相互作用。解调电路接收由头阵列的至少一些头获得的伺服信号并计算结果伺服信号,该结果伺服信号用于调节头阵列在存储介质上的位置。
同族[2]:US7265937B1 - CN101149942B  >>更多 - 什么是同族
引用[15]:US2004071924A1 - US2006215306A1 - US4426623A - US6057977A - US6760184B1 - US6760185B1 ...   
被引用[46]:US10152999B2 - US2007201160A1 - US2008080082A1 - US2008316897A1 - US2009282933A1 - US2009302869A1 ...   
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[发明授权] 存储器设备 - 95196558.1;1091925C
无权-未缴年费

申请人:惠普公司 - 申请日:1995-10-06 - 主分类号:G11B9/00
分类号:G11B9/00 G01N27/00 G01B7/34
公开(公告)日:2002-10-02
摘要:公开了一种存储器设备,在这种存储器设备中,在探测器和W/R电路之间的布线上几乎没有寄生电容,所以该设备相对地不受噪声的影响,能够为各个探测器确保高的并行性,其制造成本很低并具有很高的记录密度。这种存储器设备具有在其表面上形成了存储器介质的存储器衬底(7)和探测器装置(1),该探测器装置(1)包括许多具有导电探针(22)的探测器(2)、定位装置(91)、写-读(W/R)电路(31)和探测器驱动电路(32)。在这种存储器设备中,探测器、W/R电路和探测器驱动电路利用单片半导体工艺彼此紧靠地在探测器装置上形成。
同族[9]:WO9611472A2 - WO9611472A3 - EP0784847A2 - EP0784847B1 - DE69525637D1 - DE69525637T2 ...  >>更多 - 什么是同族
引用[14]:US5216631A - US5235187A - US5371365A - WO8907256A1 - WO9100592A2 - EP0247219A1 ...   
被引用[16]:US5717631A - US5953306A - US5970315A - US5985404A - US6819587B1 - US6885582B2 ...   
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[发明授权] 具有介质平台的微致动器的制造方法 - 200610121480.2;100573682C
无权-未缴年费

申请人:三星电子株式会社 - 申请日:2006-08-24 - 主分类号:G11B9/00(2006.01)I
分类号:G11B9/00(2006.01)I G11B9/14(2006.01)I G12B21/20(2006.01)I H01F41/00(2006.01)I G01N13/10(2006.01)I
公开(公告)号:100573682C
公开(公告)日:2009-12-23
优先权:2005.12.20 KR 126099/05
摘要:本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法,所述介质平台 具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈,所述线圈形成于所述介 质平台与所述介质承载表面相对的表面上,所述方法包括:在第一基底的第 一表面上形成凹槽;在第二基底的第一表面上形成线圈;接合所述第一基底 的第一表面和所述第二基底的第一表面;在所述第二基底的第二表面上形成 所述介质承载表面,所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
同族[5]:US2007137780A1 - US7520998B2 - JP2007174891A - KR100707207B1 - CN1988018A  >>更多 - 什么是同族
引用[4]:US2005040730A1 - US5698783A - KR20050012227A - KR20050020872A   
被引用[4]:US2009151152A1 - US2009155727A1 - US7913376B2 - JP2008100342A   
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[发明] 在基于探针的数据存储器件中的数据重写的方法和装置 - 03159716.5
无权-未缴年费

申请人:国际商业机器公司 - 申请日:2003-09-23 - 主分类号:G11B9/00
分类号:G11B9/00 G11B9/10
公开(公告)日:2004-06-16
优先权:2002.11.28 EP 02406033.7
摘要:提供用于在基于探针的数据存储器件(1)中重写 数据的方法和装置,其中通过在存储器表面(5)上的比特位置上 凹坑的有无来表示数据比特,所述凹坑由所述器件的探针机构 (2)在存储器表面(5)上形成。编码输入数据以产生编码的比特序列(b0,b1,b2…,)来在存储器表面上记录编码比特序列以覆盖原先记录的比特序列(d0,d1,d2,…,)等。与编码的比特序列(b0,b1,b2…,)的特性一起,所述重写技术使用写入处理的物理机构,利用在存储器表面上的比特位置的合适间距,在比特位置写入凹坑可以擦除在限定数量的相邻比特位置内的现有凹坑。另外,所述重写技术包括读取原有比特序列(d0,d1,d2,…,)的至少某些凹坑,其中通过读取原有数据的结果来部分地确定在重写操作中在存储器表面上写入的数据的模式。
同族[3]:US2004114490A1 - US7245575B2 - CN100383874C  >>更多 - 什么是同族
引用[3]:US7099257B2 - EP0718831A2 - JPH07153080A   
被引用[17]:US2004071021A1 - US2006023612A1 - US2006028964A1 - US2007041237A1 - US2007058518A1 - US2007070685A1 ...   
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