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[发明] 半导体表面钝化方法 - 85100896
无权-视为撤回

申请人:北京电子二厂 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L21/31
分类号:H01L21/31 H01L21/324...
摘要:本发明是属于半导体器件制造工艺方法。具 体地说,是一种SiN—a-Si : H(氮化硅—非 晶硅)的钝化方法。用等离子体CVD淀积的a— Si : H薄膜中含有H(氢),可填充Si—SiO2 界面的悬挂键缺陷,对半导体管芯有钝化作用。 其特...
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[实用新型] PMOS低高压转换电路 - 85200132
无权-届满

申请人:南京工学院 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L27/08
分类号:H01L27/08...
摘要:一种新型的PMOS低高压转换电路。本电路在结构上采用P阱作漂移区,故无需 附加任何工艺步骤,就可以与P阱Si栅等平面 CMOS工艺兼容;在工艺上采用P阱Si栅等 平面工艺,实现本发明高压PMOS器件的集成, 也可以使常规P阱CMOS集成电路...
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[实用新型] 一种适于宽温区温度测量和控温用的敏感元件 - 85200309
无权-届满
著录变更
更正

申请人:中国科学院物理研究所 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H10L29/70
分类号:H10L29/70 H01L23/44 G01K7/02...
摘要:本实用新型是制作一种硅晶体管测温元件,该测温元件是由NPN外延平面高频小功率三极管,保留其基极与集电极去掉发射极引线,而构成的二极管,该硅晶体管测温元件可以在1.5~320K宽温区内,作为温度测量和温度控制用的敏感元件,它具有良好的温度特性...
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[实用新型] 多瓣环形光电颜色传感器 - 85200139
无权-届满

申请人:南京工学院 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:G01J3/51
分类号:G01J3/51 H01L31/00...
摘要:多瓣环形光电颜色传感器是颜色测量仪器 中的光电传感器。是将圆环形光电传感器,分成 复数个小区间,其上粘附着相应的滤色片。可同 时测量颜色的三刺激值。由于采用了多区间,因 而减弱了被测物光反射的各向不均匀性。同时, 多区间又可采用多片滤色片与...
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[实用新型] 铝栅MOS/双极复合功率管 - 85200134
无权-终止

申请人:南京工学院 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L27/06
分类号:H01L27/06...
摘要:本发明属于集成功率器件。由MOS管作为 输入级,双极型管作为输出级在同一芯片上以达 林顿形式组成。该管具有高输入阻抗和低输出阻 抗的特点。采用以铝栅工艺为主体的MOS/双 极兼容工艺,MOS管的漏区与一只双极型管的 基区为同一扩散区(2),...
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[实用新型] 一种低高压驱动器 - 85200131
无权-届满
著录变更

申请人:南京工学院 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L27/06
分类号:H01L27/06 H01L21/265...
摘要:本发明是一种低高压驱动器,用标准N阱 CMOS工艺将低压CMOS电路与高压驱动电 路兼容在同一个芯片上,与已有的同功能的双极 型结构相比,具有低功耗、高输入阻抗、高抗干 扰的优点,与已有的MOS高压器件相比,采用 一次离子注入可同时形成低压...
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[实用新型] 高温声发射传感器 - 85200308
无权-届满

申请人:中国科学院声学研究所 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H04R17/00
分类号:H04R17/00 H01L41/18...
摘要:本发明是高温换能器及声发射传感器,其灵 敏元件用钛酸铅压电陶瓷材料,并用不锈钢外壳, 耐高温电缆,镍电极,硅脂粘结剂,并采用预应 力技术。本发明结构简单,制作方便,它可用于 监测高达350℃和高压状态下的声发射,也可作声 探头。
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[实用新型] 单板机直接数字控制外延设备 - 85200023
无权-届满

申请人:清华大学 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L21/20
分类号:H01L21/20...
摘要:单板机直接数字控制外延设备是一种半导体 工艺设备。本实用新型采用一台单板计算机对气相硅外 延设备的温度、流量等工艺过程进行直接数字控 制和程序控制,可广泛应用于各种半导体和集成 电路的生产过程中。本设备用简单的人—机对话 方式输入参数,以迅...
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[发明] 低温烧结压电陶瓷及其独石结构压电变压器 - 85100051
无权-未缴年费

申请人:清华大学 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:C04B35/49
分类号:C04B35/49 H01L41/08...
摘要:低温烧结压电陶瓷及其独石结构压电变压器。本技术属压电陶瓷材料组成及其应用领域。本发明采用锆钛酸铅压电陶瓷中掺入硼-铋-镉低熔玻璃的方法实现低温烧结,烧结温度950~1000℃,具有节约能耗,降低PbO挥发等优点。用上述陶瓷制成独石变压器,具...
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[发明] 离子注入半导体瞬时退火设备 - 85100131
无权-届满

申请人:清华大学 - 申请日:1985-04-01 - 主分类号:H01L21/324
分类号:H01L21/324...
摘要:本发明为离子注入半导体瞬时退火设备,属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高,注入离子再扩散小。...
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