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[实用新型] 自动调压变量供水装置 - 93213290.1
无权-未缴年费

申请人:唐海县市政管理局 - 申请日:1993-05-25 - 主分类号:E03B11/16
发明人:李俊林;李进梁;李俊山;王占国;张志扬
摘要:本实用新型公开了一种自动调压变量供水装置,采用自动控制系统实现自动调压变量供水。其控制系统由基本单元电路,微处理器构成。控制系统跟踪管网压力变化,自动控制泵群的启停。用水高峰时,泵全部启动运行,用水量小时,停部分泵,不用时,泵全停。保证泵在高效区运行,从而达到节约水源,自动调节供水量的目的。
被引用[2]:CN102269978A - CN108572672A   
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[发明] 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法 - 201910441230.4
审中-实审

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2019-05-24 - 主分类号:H01L21/3065(2006.01)I
发明人:李俊杰;李永亮;周娜;杨涛;张青竹;王桂磊;李俊峰;吴振华;殷华湘;朱慧珑;王文武
摘要:本发明提供了一种纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1,提供表面设置有凸台的衬底,凸台包括沿远离衬底的方向层叠设置的第一材料层与第二材料层;S2,使反应气体吸附于凸台表面形成吸附层,利用吸附层对第一材料层进行各向同性腐蚀;S3,重复执行步骤S2,以完成对第一材料层的刻蚀,形成位于衬底与第二材料层之间的纳米线。采用上述方法实现了精确自限制选择性横向刻蚀来精确微缩,在不用先进光刻的情况下即可获得纳米线或实现对纳米孔直径灵活调节,从而提高了工艺的重复性和一致性。
引用[6]:US2017103889A1 - CN106711227A - CN107342312A - CN108028182A - CN108807149A - CN108962750A   
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[发明] 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备 - 201910380542.9
审中-实审

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2019-05-08 - 主分类号:G01N27/30(2006.01)I
发明人:李俊杰;王桂磊;李永亮;周娜;杨涛;傅剑宇;李俊峰;殷华湘;朱慧珑;王文武
摘要:本发明提出了一种微电极结构及其制作方法,包括:衬底;在衬底上方形成的刻蚀终止层;在刻蚀终止层上方形成由电极层和牺牲层交错堆叠而成的堆叠层,牺牲层覆盖电极层的部分表面;在电极层的未被牺牲层覆盖的裸露部分上方形成的金属层;在堆叠层上方形成的介电层;穿过堆叠层上方的介电层形成与电极层接触的引线。本发明的微电极结构的间距和密度可以灵活调整,用于对电极间距极小,密度极高的场合,后续表面沉积生物电极里常用的黄金(Au)或铂金(Pt)后,无需增加光刻和刻蚀等工艺即可自然实现电极间微间距导电隔离的目的,既解决了Au和Pt难等离子刻蚀的问题,又使得工艺跟硅基CMOS完全兼容;且制作方法不依赖光刻技术,且尺寸能灵活调控。
引用[4]:CN106132568A - CN106356307A - CN106646048A - CN109155317A   
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[发明] 氧化钇薄膜的形成方法及系统 - 202010388565.7
审中-实审

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2020-05-09 - 主分类号:H01L21/316(20060101)
发明人:周娜;高建峰;李俊杰;杨涛;李俊
摘要:本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种氧化钇薄膜的形成方法及系统,氧化钇薄膜形成在衬底上,包括以下步骤:图形化氧化钇薄膜;至少进行一次刻蚀工艺;所述刻蚀工艺包括以下步骤:采用含氯气体对所述氧化钇薄膜进行各向异性干法刻蚀;进行湿法处理;干燥。
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[发明] 一种半导体器件纳米线及其制备方法 - 201911236867.6
审中-实审

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2019-12-05 - 主分类号:H01L21/28(20060101)
发明人:王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊杰;李俊峰;殷华湘;王文武
摘要:本发明公开了一种半导体器件纳米线的制备方法,包括以下步骤:提供半导体衬底;在半导体衬底中形成浅沟道隔离区,浅沟道隔离区之间的半导体衬底为体硅鳍结构;选择性去除体硅鳍结构,使体硅鳍结构凹进以形成凹槽;在凹槽处沿半导体衬底表面垂直方向交替堆叠生长具有刻蚀选择性的多种外延层并进行表面平坦化;使浅沟道隔离区凹进以使交替堆叠生长的多种外延层突出于两侧的浅沟道隔离区;选择性刻蚀其中的一种或几种外延层,保留的外延层构成纳米线结构。还提供一种半导体器件纳米线。本发明通过在半导体衬底上交替堆叠生长不同材料的异质薄膜,减少薄膜中的缺陷,制备高质量纳米线结构,有利于不同类型的高迁移率材料导入和集成,提高器件的性能。
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[发明授权] 一种速干型数码热升华转印纸 - 201611010955.0;106626856B
有权
著录变更
权利转移

申请人:中国制浆造纸研究院有限公司 沧州意达花纸印刷材料有限公司 - 申请日:2016-11-17 - 主分类号:B41M5/42(20060101)
发明人:王比松;李洪才;刘金刚;李俊杰;李俊明;李全胜
摘要:本发明公开了一种涂布纸。具体是应用喷墨打印,并用于在化纤类织物上进行热升华转印的一种速干型数码热升华转印纸。其特征在于涂层中应用交联羧甲基纤维素钠,打印时可快速、大量吸收墨水中的溶剂水,能明显提高打印干燥速度。同时,涂层中支撑料的应用,有效的解决了收卷时打印的图案被蹭花的问题。在此基础上,热升华转印纸仍然保留了高的转印色密度。
同族[1]:CN106626856A  >>更多 - 什么是同族
引用[10]:US4865913A - EP2583820A1 - CN102909982A - CN103287146A - CN103381721A - CN103397576A ...   
被引用[2]:CN108625206A - CN110857010A   
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[发明] 一种新型层燃锅炉 - 201010280467.8
无权-视为撤回
权利转移

申请人:天津宝成机械集团有限公司 - 申请日:2010-09-14 - 主分类号:F22B31/08(2006.01)I
当前权利人:天津宝成机械制造股份有限公司
发明人:李俊东;李爽;董俊生;曾国辉;李俊
摘要:一种新型层燃锅炉提出了一种炉膛出烟口设在炉膛中部上方,锅炉炉膛采用角管锅炉的炉膛结构,锅炉的主要对流受热面采用SHL型锅炉的锅炉管束结构。锅炉管束等大量的受热面管直接与上、下锅筒连接,并且锅炉采用水冷连通管支撑与钢架支撑相结合的复合式支撑方式。具有炉膛内烟气混合充分、烟气含尘浓度低,省煤器出水温度低,大量的锅炉管束便于检查、维护,省煤器、空预器布置灵活、方便等特点。主要用于需要链条炉排锅炉、往复炉排锅炉的领域。
引用[5]:CN1884909A - CN201246733Y - CN201803358U - CN2269560Y - CN2935003Y   
被引用[4]:CN105318306A - CN105318307A - CN105318309A - CN109973980A   
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[实用新型] 井下射流掺稀混合器 - 201920528875.7
有权

申请人:中国石油天然气股份有限公司 - 申请日:2019-04-18 - 主分类号:E21B43/16(20060101)
发明人:陈小凯;顾峰硕;柴源;李俊杞;刘国宇;马洪伟;吕冬梅;盛浩;卞家忠;曾双红;刘强;王尧;李俊萍;管紫君
摘要:本实用新型公开了一种井下射流掺稀混合器,该井下射流掺稀混合器包括:油管短节、与所述油管短节连接的筛管以及设置在所述油管短节内的内衬喷管,其中:所述内衬喷管包括喷嘴,所述喷嘴伸入所述筛管内;所述油管短节的下部与采油管柱的稠油出口连通,以使稠油进入所述内衬喷管并从所述喷嘴中喷出;所述筛管置于稀油或降粘剂中,稠油从所述喷嘴中喷出驱使所述稀油或降粘剂通过所述筛管的筛孔进入所述筛管中与稠油混合形成混合流体;所述筛管的上部与采油管柱的混合流体入口连通,以将所述混合流体送入采油管柱。本实用新型解决了现有技术的井下液体混合工具易堵塞、影响油井产量、混合不充分的技术问题。
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[实用新型] 手动芯片测试座 - 201721358158.1
有权

申请人:东莞市睿辉机电科技有限公司 - 申请日:2017-10-20 - 主分类号:G01R1/04(2006.01)I
发明人:李俊敏;李俊
摘要:本实用新型公开了一种手动芯片测试座,包括测试盖和底座,所述测试盖包括基盖和挂钩,所述基盖侧面设有沉孔,所述沉孔内设有挂钩弹性件,所述挂钩铰接于基盖侧面,所述挂钩弹性件抵住挂钩一端,所述挂钩另一端设有钩部,所述底座包括浮动板和基座,所述基座设有滑动槽,所述浮动板设于滑动槽中,所述基座侧面设有卡槽,所述卡槽与挂钩的钩部对应,所述基盖通过锁紧件设于基座上,所述基盖和基座之间设有脱开弹性件。本实用新型提供的手动芯片测试座,测试方便,效率高。
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[发明] 环栅纳米线晶体管及其制备方法 - 201811616188.7
审中-实审

申请人:中国科学院微电子研究所 - 申请日:2018-12-27 - 主分类号:H01L21/335(2006.01)I
发明人:李俊杰;吴振华;李永亮;周娜;张青竹;王桂磊;李俊峰;王文武
摘要:本发明提供了一种环栅纳米线晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:提供表面设置有鳍结构的衬底,鳍结构包括沿远离衬底的方向依次交替层叠设置的牺牲层与沟道层;形成跨鳍结构的假栅,鳍结构由沿长度方向顺次连接的第一鳍体段、第二鳍体段和第三鳍体段组成,假栅覆盖第二鳍体段,并去除第一鳍体段和第二鳍体段,以使第二鳍体段的两侧端面裸露;采用半导体材料在第二鳍体段的两侧端面上外延形成释放停止层,并形成分别与释放停止层连接的源/漏极;去除假栅以及第二鳍体段中的牺牲层,以使沟道层的表面裸露得到纳米线阵列,并绕纳米线阵列中各纳米线的外周形成栅堆叠结构。上述环栅纳米线晶体管的制备方法工艺简单且易于实施。
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