中国专利搜索 世界专利搜索 专利分类查询 专利引用检索 专利族检索
登陆 | |

具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法
有权
权利转移
阅读授权文献

Light emitting diode (LED) epitaxial wafer with N type insertion layer with trapezoidal structure and growth method thereof

申请号:201310099202.1 申请日:2013-03-26
摘要:本发明公开了一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法。所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层;所述N型AlGaN插入层为梯形结构。具体为,在第一N型GaN层上生长由N型AlGaN层a、b和c组成的N型AlGaN插入层,所述N型AlGaN层a、b、c中Ga的摩尔组分含量保持不变,Al的摩尔组分含量依次为逐渐升高、保持不变、逐渐降低。本发明通过在N型GaN层中插入梯形结构的N型AlGaN层,一方面有效降低量子阱区域的位错密度,另一方面减少因N型AlGaN层的引入而对电子纵向迁移的影响,从而提高氮化镓基LED的发光效率。
Abstract: The invention discloses a light emitting diode (LED) epitaxial wafer with an N type insertion layer with a trapezoidal structure and a growth method thereof. The LED epitaxial wafer comprises a substrate, a low-temperature GaN buffer layer, a GaN non-doping layer, a first N type GaN layer, an N type AlGaN insertion layer, a second N type GaN layer, a multi-quantum well layer, a low-temperature P type GaN layer, a P type AlGaN layer, a high-temperature P type GaN layer and a P type contact layer sequentially from bottom to top, wherein the N type AlGaN insertion layer has a trapezoidal structure. According to the LED epitaxial wafer, the N type AlGaN insertion layer which consists of N type AlGaN layers (a, b and c) is grown on the first N type GaN layer; and the content of mole components of Ga in the N type AlGaN layers (a, b and c) is constant, and the content of mole components of Al is increased gradually, constant and reduced gradually. According to the LED epitaxial wafer, the N type AlGaN layer with the trapezoidal structure is inserted into the N type GaN layers, so that the dislocation density of a quantum well area is reduced effectively, the influence on the longitudinal migration of electrons due to the introduction of the N type AlGaN layer is reduced, and the luminous efficiency of gallium nitride-base LEDs is improved.
申请人: 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Applicant: HEFEI IRICO EPILIGHT TECHNOLOGY CO LTD
地址: 230012 安徽省合肥市新站区********(隐藏)
发明(设计)人: 李刚 郭丽彬 蒋利民
Inventor: LI GANG; GUO LIBIN; JIANG LIMIN
主分类号: H01L33/14(2010.01)I
分类号: H01L33/14(2010.01)I H01L33/20(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2021-03-19  专利权的转移IPC(主分类):H01L 33/14登记生效日:20210309变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230012 安徽省合肥市新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2016-03-30  授权
2013-07-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20130326
2013-06-19  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种具有梯形结构的N型插入层的LED外延片,其特征在于,所述外延片的结构自下而上依次为衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、第一N型GaN层、N型AlGaN插入层、第二N型GaN层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层;所述N型AlGaN插入层为梯形结构。
公开号  103165777A
公开日  2013-06-19
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201310099202  20130326 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  US2008111144A1  20080515  1-6  全文 
SEA  CN102881788A  20130116  1-6  说明书第[0013]-[0015]段、附图1-2 
SEA  CN102856163A  20130102  1-6  说明书第[0039]-[0090]段、附图1-4 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数